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超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展

郭道友 李培刚 陈政委 吴真平 唐为华

物理学报2019，Vol.68Issue(7)：1-36,36.
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物理学报2019，Vol.68Issue(7)：1-36,36.DOI:10.7498/aps.68.20181845

超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展

Ultra-wide bandgap semiconductor of β-Ga2Oa and its research progress of deep ultraviolet transparent electrode and solar-blind photodetector

郭道友 1李培刚 2陈政委 3吴真平 2唐为华2

作者信息

  • 1. 浙江理工大学物理系,光电材料与器件中心,杭州310018
  • 2. 北京邮电大学理学院,信息功能材料与器件实验室,北京100876
  • 3. 北京邮电大学,信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876
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摘要

关键词

Ga2O3/超宽带隙半导体/日盲探测器/深紫外透明电极

引用本文复制引用

郭道友,李培刚,陈政委,吴真平,唐为华..超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展[J].物理学报,2019,68(7):1-36,36.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61704153,51572241,61774019,51572033)和北京市科委(批准号:SX2018-04)资助的课题. （批准号:61704153,51572241,61774019,51572033）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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