物理学报2019，Vol.68Issue(7)：262-269,8.DOI:10.7498/aps.68.20182067
基于蒙特卡罗方法的4H-SiC(0001)面聚并台阶形貌演化机理
Formation of step bunching on 4H-SiC (0001) surfaces based on kinetic Monte Carlo method
摘要
关键词
碳化硅/聚并台阶/蒙特卡罗/晶体生长引用本文复制引用
李源,石爱红,陈国玉,顾秉栋..基于蒙特卡罗方法的4H-SiC(0001)面聚并台阶形貌演化机理[J].物理学报,2019,68(7):262-269,8.基金项目
青海省自然科学基金(批准号:2018-ZJ-946Q)和青海民族大学自然科学基金(批准号:2017XJG05)资助的课题. （批准号:2018-ZJ-946Q）
