| 注册
首页|期刊导航|物理学报|MoO3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究

MoO3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究

陈东运 高明 李拥华 徐飞 赵磊 马忠权

物理学报2019,Vol.68Issue(10):82-88,7.
物理学报2019,Vol.68Issue(10):82-88,7.DOI:10.7498/aps.68.20190067

MoO3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究

First principle study of formation mechanism of molybdenum-doped amorphous silica in MoO3/Si interface

陈东运 1高明 1李拥华 1徐飞 1赵磊 1马忠权1

作者信息

  • 1. 上海大学理学院物理系,索朗光伏材料与器件R&D联合实验室,上海 200444
  • 折叠

摘要

关键词

第一性原理/MoO3/Si界面反应/钼掺杂非晶氧化硅/形成能

引用本文复制引用

陈东运,高明,李拥华,徐飞,赵磊,马忠权..MoO3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究[J].物理学报,2019,68(10):82-88,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号: 61874070, 61674099, 61274067)和索朗光伏材料与器件 R&D联合实验室基金 (批准号: SS-E0700601)资助的课题. (批准号: 61874070, 61674099, 61274067)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量1
|
下载量0
段落导航相关论文