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N型稀磁半导体Ge0.96-xBixFe0.04Te薄膜的磁电性质研究

樊济宇 王彩霞 马春兰 朱岩 冯瑜 陆地 张卫纯 胡大治 杨玉娥 汤如俊 洪波 凌浪生

物理学报2019,Vol.68Issue(10):251-258,8.
物理学报2019,Vol.68Issue(10):251-258,8.DOI:10.7498/aps.68.20190019

N型稀磁半导体Ge0.96-xBixFe0.04Te薄膜的磁电性质研究

Magnetic and eletronic transport properties in n-type diluted magnetic semiconductor Ge0.96-xBixFe0.04Te film

樊济宇 1王彩霞 2马春兰 3朱岩 1冯瑜 1陆地 1张卫纯 1胡大治 1杨玉娥 1汤如俊 4洪波 5凌浪生6

作者信息

  • 1. 南京航空航天大学理学院应用物理系,南京210006
  • 2. 扬州大学物理科学与技术学院,扬州225009
  • 3. 苏州科技大学数理学院,江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,苏州215009
  • 4. 苏州大学物理科学与技术学院,苏州215006
  • 5. 中国计量大学材料科学与工程学院,杭州310018
  • 6. 中国科学院强磁场科学中心,合肥230031
  • 折叠

摘要

关键词

稀磁半导体/外延薄膜/Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用/铁磁有序态

引用本文复制引用

樊济宇,王彩霞,马春兰,朱岩,冯瑜,陆地,张卫纯,胡大治,杨玉娥,汤如俊,洪波,凌浪生..N型稀磁半导体Ge0.96-xBixFe0.04Te薄膜的磁电性质研究[J].物理学报,2019,68(10):251-258,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号: 11204131, 11374159)、江苏省高等学校自然科学研究重大项目资助(批准号: 17KJA140001)和江苏省"六大人才高峰"高层次人才项目(批准号: XCL-078)资助的课题. (批准号: 11204131, 11374159)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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