热处理对磁控溅射法制备p-ITO(40 nm)薄膜特性的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of annealing treatment on the performances of 40 nm thick p-ITO films prepared by DC magnetron sputtering
为改善在实际生产中,p-ITO在膜厚较薄时所表现出的多种不良,如退火后膜质存在花斑不良 、膜层易被刻蚀液腐蚀等,进行退火对p-ITO薄膜特性影响的研究.本实验利用磁控溅射法在玻璃基板上制备出40 nm厚度的p-ITO膜,并在氮气环境中对膜层进行不同温度和时间的退火处理.分别采用XRD、AFM和SEM对p-ITO的结晶度和微观结构进行表征,并使用四探针(4-point probe,4P)和自动光学测试设备分别测试其方块电阻和光透射率.测试结果表明:…查看全部>>
王效坤;朴祥秀;孟雷;房伟华;刘飞
合肥京东方光电科技有限公司,安徽合肥 230012合肥京东方光电科技有限公司,安徽合肥 230012合肥京东方光电科技有限公司,安徽合肥 230012合肥京东方光电科技有限公司,安徽合肥 230012合肥京东方光电科技有限公司,安徽合肥 230012
花斑不良磁控溅射方块电阻透过率薄膜晶体管
《液晶与显示》 2019 (4)
386-394,9
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