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单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究

王云波 操节宝 邹鹏 吴清丽

原子能科学技术2019,Vol.53Issue(4):728-733,6.
原子能科学技术2019,Vol.53Issue(4):728-733,6.DOI:10.7538/yzk.2018.youxian.0631

单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究

Research on Measurement of Thermal Neutron Fluence Rate Using Double-foil Activation Method for Single-crystal Silicon

王云波 1操节宝 1邹鹏 1吴清丽1

作者信息

  • 1. 中国核动力研究设计院,四川 成都 610005
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摘要

关键词

单晶硅/等效2200m/s热中子注量率/双箔活化法/活化截面

分类

能源科技

引用本文复制引用

王云波,操节宝,邹鹏,吴清丽..单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究[J].原子能科学技术,2019,53(4):728-733,6.

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

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