漂移阶跃恢复二极管研究进展OA
Development of Drift Step Recovery Diodes
简单介绍了漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的物理特性以及工作机理.介绍了DSRD开关堆叠技术及两种典型电路,并分析其工作机理,且对比了多种半导体开关的参数.主要阐述了国内外漂移阶跃恢复二极管发展历程以及在脉冲功率技术中的应用.随着新材料的发展及新工艺、新结构的创新,展望了DSRD的发展方向.
张琦;金晓;宋法伦
中国工程物理研究院研究生部,四川绵阳621900中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
信息技术与安全科学
漂移阶跃恢复二极管高功率半导体开关脉冲功率技术离化波理论
《真空电子技术》 2019 (2)
8-13,6
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