真空电子技术Issue(2)：8-13,6.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2019.02.02
漂移阶跃恢复二极管研究进展
Development of Drift Step Recovery Diodes
张琦 1金晓 2宋法伦2
作者信息
- 1. 中国工程物理研究院研究生部,四川绵阳621900
- 2. 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
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摘要
关键词
漂移阶跃恢复二极管/高功率半导体开关/脉冲功率技术/离化波理论分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张琦,金晓,宋法伦..漂移阶跃恢复二极管研究进展[J].真空电子技术,2019,(2):8-13,6.
