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一种基于集总电荷的大功率PIN二极管改进电路模型

李鑫 罗毅飞 段耀强 刘宾礼 黄永乐

电工技术学报2019,Vol.34Issue(3):506-515,10.
电工技术学报2019,Vol.34Issue(3):506-515,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180097

一种基于集总电荷的大功率PIN二极管改进电路模型

An Improved Lumped-Charge Circuit Model for High Power PIN Diode

李鑫 1罗毅飞 1段耀强 2刘宾礼 1黄永乐1

作者信息

  • 1. 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 武汉 430033
  • 2. 华中科技大学电气与电子工程学院 武汉 430074
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摘要

关键词

PIN二极管/集总电荷模型/温度特性/过剩载流子寿命

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李鑫,罗毅飞,段耀强,刘宾礼,黄永乐..一种基于集总电荷的大功率PIN二极管改进电路模型[J].电工技术学报,2019,34(3):506-515,10.

基金项目

国家自然科学基金(51490681)和国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004)资助. (51490681)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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