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Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望

王莉娜 邓洁 杨军一 李武华

电工技术学报2019，Vol.34Issue(4)：703-716,14.
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电工技术学报2019，Vol.34Issue(4)：703-716,14.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180296

Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望

Junction Temperature Extraction Methods for Si and SiC Power Devices—a Review and Possible Alternatives

王莉娜 1邓洁 1杨军一 1李武华2

作者信息

  • 1. 北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院 北京 100191
  • 2. 浙江大学电气工程学院 杭州 310027
  • 折叠

摘要

关键词

功率半导体器件/硅/碳化硅/结温提取/温敏参数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王莉娜,邓洁,杨军一,李武华..Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望[J].电工技术学报,2019,34(4):703-716,14.

基金项目

国家自然科学基金项目(51577005、51877005)和航空科学基金(2015ZC51030)资助. （51577005、51877005）

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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