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GaN基电力电子器件关键技术的进展

彭韬玮 王霄 敖金平

电源学报2019,Vol.17Issue(3):4-15,12.
电源学报2019,Vol.17Issue(3):4-15,12.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.4

GaN基电力电子器件关键技术的进展

Progress in Key Technologies for GaN-based Power Electronic Devices

彭韬玮 1王霄 1敖金平1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓(GaN)/GaN横向器件/GaN垂直器件

分类

数理科学

引用本文复制引用

彭韬玮,王霄,敖金平..GaN基电力电子器件关键技术的进展[J].电源学报,2019,17(3):4-15,12.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000) (2017YFB0403000)

中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JB181110) (JB181110)

电源学报

OA北大核心CSCD

2095-2805

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