电源学报2019，Vol.17Issue(3)：57-63,7.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.57
600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计
Design of Gate Drive Scheme for 600 V Depletion-mode GaN Power Devices
摘要
关键词
耗尽型GaN器件/600V高压/栅极驱动分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
潘溯,胡黎,冯旭东,张春奇,明鑫,张波..600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计[J].电源学报,2019,17(3):57-63,7.基金项目
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800) （2017YFB0402800）
