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不同磁控溅射方式制备的C掺杂h-BN薄膜微观结构与导电性研究

姜思宇 熊芬 吴隽 祝柏林 郭才胜 姚亚刚 甘章华 刘静

人工晶体学报2019,Vol.48Issue(5):846-853,8.
人工晶体学报2019,Vol.48Issue(5):846-853,8.

不同磁控溅射方式制备的C掺杂h-BN薄膜微观结构与导电性研究

Microstructure and Conductivity of the C Doped h-BN Thin Films Prepared by Different Magnetron Sputtering Methods

姜思宇 1熊芬 1吴隽 1祝柏林 1郭才胜 1姚亚刚 2甘章华 1刘静1

作者信息

  • 1. 武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

C掺杂h-BN薄膜/RF磁控溅射/IFBP磁控溅射/退火处理

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姜思宇,熊芬,吴隽,祝柏林,郭才胜,姚亚刚,甘章华,刘静..不同磁控溅射方式制备的C掺杂h-BN薄膜微观结构与导电性研究[J].人工晶体学报,2019,48(5):846-853,8.

基金项目

国家自然科学基金(51522211) (51522211)

中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所纳米器件与应用重点实验室项目(15QT02) (15QT02)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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