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SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究

胡浩威 井津域 李钦 宋忠孝

人工晶体学报2019，Vol.48Issue(5)：907-912,6.
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人工晶体学报2019，Vol.48Issue(5)：907-912,6.

SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究

Annealing Crystallization Characteristics of Amorphous In-Ga-Zn-O Films Induced by SiNX Capping Layers

胡浩威 1井津域 2李钦 3宋忠孝2

作者信息

  • 1. 安徽建筑大学环境与能源工程学院,合肥 230601
  • 2. 西安交通大学,材料强度国家重点实验室,西安 710049
  • 3. 安徽建筑大学材料与化学工程学院,合肥 230601
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摘要

关键词

非晶IGZO薄膜/退火晶化/N2退火/SiNX

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

胡浩威,井津域,李钦,宋忠孝..SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究[J].人工晶体学报,2019,48(5):907-912,6.

基金项目

安徽省自然科学基金青年基金(1808085QE164) （1808085QE164）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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