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层数变化对堆叠生长的MoS2(1-x)Se2x电子结构的影响

王文杰康智林宋茜王鑫邓加军丁迅雷车剑滔

物理学报2018，Vol.67Issue(24)：83-91,9.

物理学报2018，Vol.67Issue(24)：83-91,9.DOI:10.7498/aps.67.20181494

Effect of layer variation on the electronic structure of stacked MoS2(1-x)Se2x alloy

王文杰 ¹康智林 ¹宋茜 ¹王鑫 ¹邓加军 ¹丁迅雷 ¹车剑滔¹

作者信息

化学气相沉积法/MoS2(1-x)Se2x合金/堆叠生长/电子结构

王文杰,康智林,宋茜,王鑫,邓加军,丁迅雷,车剑滔..层数变化对堆叠生长的MoS2(1-x)Se2x电子结构的影响[J].物理学报,2018,67(24):83-91,9.

国家自然科学基金(批准号:91545122)和中央高校基本科研业务费(批准号:JB2015RCY03,2016MS68)资助的课题. （批准号:91545122）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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