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InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

龚燕妮 杨文运 杨绍培 范明国 褚祝军

红外技术2019，Vol.41Issue(6)：511-514,4.
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红外技术2019，Vol.41Issue(6)：511-514,4.

InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

Study on the ICPCVD Technology of Silicon Nitride Passivation Films for InP/InGaAs Detectors

龚燕妮 1杨文运 2杨绍培 2范明国 2褚祝军2

作者信息

  • 1. 北方夜视技术股份有限公司,云南昆明 650223
  • 2. 北方夜视科技集团有限公司,云南昆明 650223
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摘要

关键词

InP/InGaAs探测器/ICPCVD/氮化硅

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

龚燕妮,杨文运,杨绍培,范明国,褚祝军..InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术[J].红外技术,2019,41(6):511-514,4.

基金项目

云南省基础研究重大项目(2016FC002). （2016FC002）

红外技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-8891

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