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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究

许佳佳 黄敏 徐庆庆 徐志成 王芳芳 白治中 周易 陈建新 何力

红外与毫米波学报2019，Vol.38Issue(2)：171-174,4.
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红外与毫米波学报2019，Vol.38Issue(2)：171-174,4.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.008

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究

Study on ICP dry etching of type Ⅱ InAs/GaSb superlattices infrared focal plane arrays

许佳佳 1黄敏 2徐庆庆 1徐志成 2王芳芳 1白治中 1周易 1陈建新 1何力1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

电感耦合等离子/刻蚀/InAs/GaSb Ⅱ类超晶格/焦平面

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

许佳佳,黄敏,徐庆庆,徐志成,王芳芳,白治中,周易,陈建新,何力..InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究[J].红外与毫米波学报,2019,38(2):171-174,4.

基金项目

国家自然科学基金(61534006) （61534006）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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