InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Study on ICP dry etching of type Ⅱ InAs/GaSb superlattices infrared focal plane arrays
报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料.结果 表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值.当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,…查看全部>>
许佳佳;黄敏;徐庆庆;徐志成;王芳芳;白治中;周易;陈建新;何力
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院大学,北京100049中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院大学,北京100049中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
信息技术与安全科学
电感耦合等离子刻蚀InAs/GaSb Ⅱ类超晶格焦平面
《红外与毫米波学报》 2019 (2)
新型非制冷中波红外带间级联探测器研究
171-174,4
国家自然科学基金(61534006)
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