红外与毫米波学报2019，Vol.38Issue(2)：175-181,7.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.009
中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性
Gain characteristics of MW HgCdTe avalanche photodiodes
摘要
关键词
中波碲镉汞/雪崩光电二极管/增益/C-V分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李雄军,庄继胜,赵俊,韩福忠,李立华,李东升,胡彦博,杨登泉,杨超伟,孔金丞,舒恂..中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性[J].红外与毫米波学报,2019,38(2):175-181,7.基金项目
兵器集团军品开发项目(JA2016231),联合实验室基金(2017HC020) （JA2016231）
