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利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管

李浩 林春 周松敏 王溪 孙权志

红外与毫米波学报2019，Vol.38Issue(2)：223-227,5.
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红外与毫米波学报2019，Vol.38Issue(2)：223-227,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.016

利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管

HgCdTe avalanche photo diode fabricated by ion beam etching

李浩 1林春 2周松敏 1王溪 1孙权志1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

HgCdTe/雪崩光电二极管/离子束刻蚀/增益/过剩噪声因子

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李浩,林春,周松敏,王溪,孙权志..利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管[J].红外与毫米波学报,2019,38(2):223-227,5.

基金项目

国家自然科学基金(61705247) （61705247）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-9014

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