| 注册
首页|期刊导航|现代电子技术|三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

林洁馨 杨发顺 马奎 丁召 傅兴华

现代电子技术2019,Vol.42Issue(12):81-85,5.
现代电子技术2019,Vol.42Issue(12):81-85,5.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2019.12.019

三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

Design for thermal reliability of 3D power MOSFET device

林洁馨 1杨发顺 1马奎 1丁召 1傅兴华1

作者信息

  • 1. 贵州大学 大数据与信息工程学院,贵州 贵阳 550025
  • 折叠

摘要

关键词

热可靠性设计/MOSFET/三维集成技术/功率器件/硅通孔布局/散热/热阻降低

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

林洁馨,杨发顺,马奎,丁召,傅兴华..三维功率MOSFET器件的热可靠性设计[J].现代电子技术,2019,42(12):81-85,5.

基金项目

国家自然科学基金地区科学基金项目(61664004) (61664004)

现代电子技术

OA北大核心CSTPCD

1004-373X

访问量2
|
下载量0
段落导航相关论文