电子学报2019，Vol.47Issue(6)：1344-1351,8.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2019.06.023
Bi1.5Zn1.0 Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响
Effect of SiO2 Modification of Bi1.5 Zn1.0Nb1.5O7 Gate Insulator on the Performance of ZnO-TFTs
摘要
关键词
SiO2薄膜/氧化锌薄膜晶体管/修饰层/Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜/射频磁控溅射分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
叶伟,崔立堃,常红梅..Bi1.5Zn1.0 Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响[J].电子学报,2019,47(6):1344-1351,8.基金项目
陕西省教育厅专项科学研究计划(No. 17JK0144,No. 18JK0151) （No. 17JK0144,No. 18JK0151）
陕西省工业自动化重点实验室项目(No. 09JS045) （No. 09JS045）
陕西理工大学人才启动项目(No. SLGQD2017-19) （No. SLGQD2017-19）
