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界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响

韩军 赵佳豪 赵杰 邢艳辉 曹旭 付凯 宋亮 邓旭光 张宝顺

发光学报2019，Vol.40Issue(7)：915-921,7.
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发光学报2019，Vol.40Issue(7)：915-921,7.DOI:10.3788/fgxb20194007.0915

界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响

Impact of Interface Treatment on Dynamic Characteristic of AlGaN/GaN MIS-HEMTs

韩军 1赵佳豪 1赵杰 1邢艳辉 2曹旭 1付凯 1宋亮 2邓旭光 2张宝顺2

作者信息

  • 1. 北京工业大学信息学部 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京 100124
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

电流崩塌/AlN栅介质插入层/界面处理/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

韩军,赵佳豪,赵杰,邢艳辉,曹旭,付凯,宋亮,邓旭光,张宝顺..界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响[J].发光学报,2019,40(7):915-921,7.

基金项目

国家自然科学基金(61204011,11204009,61574011) （61204011,11204009,61574011）

北京市自然科学基金(4142005,4182014) （4142005,4182014）

北京市教委科学研究基金(PXM 2018_014204_500020)资助项目 （PXM 2018_014204_500020）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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