液晶与显示2019，Vol.34Issue(5)：482-488,7.DOI:10.3788/YJYXS20193405.0482
ITO退火工艺对HADS型TFT-LCD透过率的影响
Influence of ITO anneal on the transmittance property of HADS TFT-LCD
安晖 1张敏 1陈婷婷 1金珍 1向康 1金镇满 1李恒滨 1操彬彬 1栗芳芳 1叶成枝 1杨增乾 1彭俊林 1刘增利 1吕艳明 1陆相晚1
作者信息
- 1. 合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230001
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摘要
关键词
氧化铟锡/退火/薄膜晶体管/透过率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
安晖,张敏,陈婷婷,金珍,向康,金镇满,李恒滨,操彬彬,栗芳芳,叶成枝,杨增乾,彭俊林,刘增利,吕艳明,陆相晚..ITO退火工艺对HADS型TFT-LCD透过率的影响[J].液晶与显示,2019,34(5):482-488,7.
