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阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺

田婷任芳梁萌王江华刘志强伊晓燕袁国栋王军喜李晋闽

照明工程学报2019，Vol.30Issue(3)：81-85,95,6.

照明工程学报2019，Vol.30Issue(3)：81-85,95,6.DOI:10.3969/j.issn.1004-440X.2019.03.014

阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺

Chip Isolation Processes in the Monolithic Integrated LEDs

田婷 ¹任芳 ¹梁萌 ¹王江华 ²刘志强 ¹伊晓燕 ¹袁国栋 ¹王军喜 ¹李晋闽¹

作者信息

1. 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京100083
2. 鹤壁市大华实业有限公司,河南鹤壁458000
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摘要

关键词

LED/芯片隔离/ICP深刻蚀/激光划槽

分类

数理科学

引用本文复制引用

田婷,任芳,梁萌,王江华,刘志强,伊晓燕,袁国栋,王军喜,李晋闽..阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺[J].照明工程学报,2019,30(3):81-85,95,6.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2017YFB0403300,2017YFB0403302)、北京市科委计划(批准号:Z161100002116032)、广州市科技计划(批准号:201704030106,2016201604030035) （批准号:2017YFB0403300,2017YFB0403302）

照明工程学报

OACSTPCD

ISSN：1004-440X

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