电子科技2019，Vol.32Issue(6)：22-25,30,5.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.06.005
应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
Single Event Effect Under Total Dose Radiation in Strained Si NMOS Devices
摘要
关键词
应变Si/NMOS器件/总剂量辐射/单粒子效应/漏极瞬态电流/漏极收集电荷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张倩,郝敏如..应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响[J].电子科技,2019,32(6):22-25,30,5.基金项目
陕西省科技计划项目(2016GY-085) （2016GY-085）
