电子器件2019，Vol.42Issue(3)：541-544,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2019.03.001
部分埋氧的超结Trench VDMOS的设计与研究
Design and Research of Partially Buried Oxygen Superjunction Trench VDMOS
问磊 1范文天 1徐申1
作者信息
- 1. 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096
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摘要
关键词
Trench VDMOS/超结/抗辐照/SOI/Sentaurus分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
问磊,范文天,徐申..部分埋氧的超结Trench VDMOS的设计与研究[J].电子器件,2019,42(3):541-544,4.
