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基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计

张书源 钟世昌

电子器件2019,Vol.42Issue(3):608-612,5.
电子器件2019,Vol.42Issue(3):608-612,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2019.03.014

基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计

Design of Harmonic Suppression Technology-Based Internally Matched High-Efficiency GaN Power Amplifier

张书源 1钟世昌1

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,南京210016
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摘要

关键词

内匹配/高效率/谐波抑制/功率放大器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张书源,钟世昌..基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计[J].电子器件,2019,42(3):608-612,5.

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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