太赫兹科学与电子信息学报2019，Vol.17Issue(2)：322-326,337,6.DOI:10.11805/TKYDA201902.0322
基于FBAR谐振器件的CMOS振荡电路特性比较
Comparison of three low-power CMOS oscillators for FBAR resonator applications
摘要
关键词
薄膜体声波谐振器/振荡器/低功耗/相位噪声分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈振雄,高同强,赵思琦,方康明,赵湛,杨海钢..基于FBAR谐振器件的CMOS振荡电路特性比较[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(2):322-326,337,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(61431019) （61431019）
