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强流平板二极管阻抗特性分析

胡杨 杨海亮 张鹏飞 孙江 孙剑锋

太赫兹科学与电子信息学报2019,Vol.17Issue(2):338-342,5.
太赫兹科学与电子信息学报2019,Vol.17Issue(2):338-342,5.DOI:10.11805/TKYDA201902.0338

强流平板二极管阻抗特性分析

Analysis of a high-current plain diode impedance characteristics

胡杨 1杨海亮 1张鹏飞 1孙江 1孙剑锋1

作者信息

  • 1. 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西西安710024
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摘要

关键词

阻抗/束流箍缩/强流平板二极管/法拉第筒

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

胡杨,杨海亮,张鹏飞,孙江,孙剑锋..强流平板二极管阻抗特性分析[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(2):338-342,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11305128 ()

11505142 ()

11705150) ()

强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室资助项目(SKLIPR1503) (SKLIPR1503)

太赫兹科学与电子信息学报

OA北大核心CSTPCD

2095-4980

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