太赫兹科学与电子信息学报2019，Vol.17Issue(2)：348-351,4.DOI:10.11805/TKYDA201902.0348
12～18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计
Design of 12-18 GHz MMIC Low Noise Amplifier in GaAs pHEMT process
孙博文 1王磊 1陈庆 1方堃 1杨漫菲1
作者信息
- 1. 电子科技大学电子工程学院,四川成都611731
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摘要
关键词
Ku波段/毫米波单片集成电路/低噪声放大器/GaAs工艺分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙博文,王磊,陈庆,方堃,杨漫菲..12～18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(2):348-351,4.
