材料工程2019，Vol.47Issue(8)：90-96,7.DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2017.000057
Ti O2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/Ti O2异质结薄膜光电化学性能的影响
Influence of annealing temperature of TiO2 nanotube array on photoelectrochemical properties of CdSe/TiO2 heterojunction thin films
摘要
关键词
CdSe/TiO2异质结/退火温度/光电化学性能/相转变分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵斌,张芮境,申倩倩,王羿,薛晋波,张爱琴,贾虎生..Ti O2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/Ti O2异质结薄膜光电化学性能的影响[J].材料工程,2019,47(8):90-96,7.基金项目
国家自然科学基金(21878257 ,51402209 ,21276220 ) （21878257 ,51402209 ,21276220 ）
山西省科技攻关计划项目(201603D121017) （201603D121017）
山西省重点研发国际科技合作项目(201803D421079) （201803D421079）
山西省基础研究项目(201701D221083) （201701D221083）
山西省高校科技创新研究项目(2016124 ) （2016124 ）
