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新型氮化镓功率晶体管建模与特性分析

魏成伟 郑连清 任全礼

电器与能效管理技术Issue(8):27-31,5.
电器与能效管理技术Issue(8):27-31,5.DOI:10.16628/j.cnki.2095-8188.2019.08.005

新型氮化镓功率晶体管建模与特性分析

Modeling and Characterization Analysis of a Novel GaN Power Transistor

魏成伟 1郑连清 1任全礼2

作者信息

  • 1. 新疆工程学院电气与信息工程系,新疆乌鲁木齐830091
  • 2. 重庆美的通用制冷设备有限公司,重庆400030
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓/功率晶体管/静态特性/动态特性/PSpice建模

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

魏成伟,郑连清,任全礼..新型氮化镓功率晶体管建模与特性分析[J].电器与能效管理技术,2019,(8):27-31,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(51577019) (51577019)

电器与能效管理技术

2095-8188

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