电源学报2019，Vol.17Issue(4)：185-192,8.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2019.4.185
考虑变温度影响的SiC MOSFET建模与分析
Modeling and Analysis of SiC MOSFET Considering Variable-temperature Effect
摘要
关键词
碳化硅MOSFET/温度参数/等效电路/PSpice建模分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李辉,钟懿,黄樟坚,廖兴林,谢翔杰,肖洪伟..考虑变温度影响的SiC MOSFET建模与分析[J].电源学报,2019,17(4):185-192,8.基金项目
国家重点研发计划资助项目(2018YFB0905704) （2018YFB0905704）
中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(106112016CDJ ZR158802) （106112016CDJ ZR158802）
国家自然科学基金资助项目(51377184) （51377184）
