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基于Langmuir-Blodgett技术制备的二硫化钨可饱和吸收体在调Q固体激光器中的研究

王江 汪太进 刘思聪 王勇刚

聊城大学学报(自然科学版)2019,Vol.32Issue(5):15-18,93,5.
聊城大学学报(自然科学版)2019,Vol.32Issue(5):15-18,93,5.DOI:10.19728/j.issn1672-6634.2019.05.003

基于Langmuir-Blodgett技术制备的二硫化钨可饱和吸收体在调Q固体激光器中的研究

Langmuir-Blodgett Tungsten Disulfide Saturable Absorber for Q-switched Solid State Laser

王江 1汪太进 1刘思聪 1王勇刚1

作者信息

  • 1. 陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西西安710119
  • 折叠

摘要

关键词

LB技术/二硫化钨/可饱和吸收体/被动调Q激光器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王江,汪太进,刘思聪,王勇刚..基于Langmuir-Blodgett技术制备的二硫化钨可饱和吸收体在调Q固体激光器中的研究[J].聊城大学学报(自然科学版),2019,32(5):15-18,93,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(61378024) (61378024)

陕西省自然科学基金项目(2017JM6091)资助 (2017JM6091)

聊城大学学报(自然科学版)

OACHSSCD

1672-6634

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