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空间高能粒子与器件布线层核反应后次级粒子LET分布研究

杨涛 邵志杰 蔡明辉 贾鑫禹 韩建伟

深空探测学报2019,Vol.6Issue(2):173-178,6.
深空探测学报2019,Vol.6Issue(2):173-178,6.DOI:10.15982/j.issn.2095-7777.2019.02.009

空间高能粒子与器件布线层核反应后次级粒子LET分布研究

Simulation of the Interaction's Effects on Single Event Effects between High-Energy Particles and Interconnect Overlayers within Semiconductor Devices

杨涛 1邵志杰 2蔡明辉 1贾鑫禹 3韩建伟1

作者信息

  • 1. 中国科学院国家空间科学中心,北京100190
  • 2. 上海航天控制技术研究所,上海201109
  • 3. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

高能粒子/CMOS工艺器件/LET值/单粒子效应/GEANT4

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨涛,邵志杰,蔡明辉,贾鑫禹,韩建伟..空间高能粒子与器件布线层核反应后次级粒子LET分布研究[J].深空探测学报,2019,6(2):173-178,6.

基金项目

中国科学院战略性先导科技专项A类资助项目(XDA17010301) (XDA17010301)

北京市科技重大专项资助项目(Z181100002918004) (Z181100002918004)

载人航天领域预先研究课题资助项目(Y79001AF00) (Y79001AF00)

深空探测学报

2096-9287

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