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InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型

邓小庆 邓联文 何伊妮 廖聪维 黄生祥 罗衡

物理学报2019，Vol.68Issue(5)：213-219,7.
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物理学报2019，Vol.68Issue(5)：213-219,7.DOI:10.7498/aps.68.20182088

InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型

Leakage current model of InGaZnO thin film transistor

邓小庆 1邓联文 1何伊妮 2廖聪维 1黄生祥 1罗衡1

作者信息

  • 1. 中南大学物理与电子学院, 长沙 410083
  • 2. 湖南省新型片式电感及先进制造装备工程技术研究中心, 怀化 419600
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摘要

关键词

InGaZnO/泄漏电流/thin-film transistor/器件模型

引用本文复制引用

邓小庆,邓联文,何伊妮,廖聪维,黄生祥,罗衡..InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型[J].物理学报,2019,68(5):213-219,7.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2017YFA0204600)、国家自然科学基金(批准号:61404002)和中南大学中央高校基本科研业务费(批准号:2018zzts344)资助的课题. （批准号:2017YFA0204600）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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