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GaAs (001)图形衬底上InAs量子点的定位生长

王海玲 王霆 张建军

物理学报2019，Vol.68Issue(11)：230-236,7.
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物理学报2019，Vol.68Issue(11)：230-236,7.DOI:10.7498/aps.68.20190317

GaAs (001)图形衬底上InAs量子点的定位生长

Controllable growth of InAs quantum dots on patterned GaAs (001) substrate

王海玲 1王霆 2张建军1

作者信息

  • 1. 中国科学院物理研究所,纳米物理与器件实验室,北京100190
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

InAs量子点/图形衬底/成核位置/定位生长

引用本文复制引用

王海玲,王霆,张建军..GaAs (001)图形衬底上InAs量子点的定位生长[J].物理学报,2019,68(11):230-236,7.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301700,2015CB932400)和国家自然科学基金(批准号:11574356,11434010)资助的课题. （批准号:2016YFA0301700,2015CB932400）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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