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三维集成电路中内存的经时击穿分析与检测

贾鼎成 王磊磊 高薇

西安电子科技大学学报（自然科学版）2019，Vol.46Issue(4)：182-189,8.
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西安电子科技大学学报（自然科学版）2019，Vol.46Issue(4)：182-189,8.DOI:10.19665/j.issn1001-2400.2019.04.025

三维集成电路中内存的经时击穿分析与检测

Analysis and detection of TDDB degradation for DRAM in 3D-ICs

贾鼎成 1王磊磊 2高薇3

作者信息

  • 1. 上海科技大学 信息科学与技术学院,上海 201210
  • 2. 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
  • 3. 中国科学院大学 电子电气与通信工程学院,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

可靠性/经时击穿/三维集成电路/动态随机存取存储器/检测

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

贾鼎成,王磊磊,高薇..三维集成电路中内存的经时击穿分析与检测[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2019,46(4):182-189,8.

基金项目

国家自然科学基金(61401276) （61401276）

西安电子科技大学学报（自然科学版）

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2400

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