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a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

田茂坤 袁剑峰 孙耒来 黄中浩 谌伟 王恺 王思江 王瑞 董晓楠 赵永亮 闵泰烨

液晶与显示2019,Vol.34Issue(7):646-651,6.
液晶与显示2019,Vol.34Issue(7):646-651,6.DOI:10.3788/YJYXS20193407.0646

a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

Effect of thickness of a-Si remain on TFT characteristics

田茂坤 1袁剑峰 1孙耒来 1黄中浩 1谌伟 1王恺 1王思江 1王瑞 1董晓楠 1赵永亮 1闵泰烨1

作者信息

  • 1. 重庆京东方光电科技有限公司 ,重庆 400700
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摘要

关键词

a-Si剩余量/电学特性/工作电流/漏电流

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

田茂坤,袁剑峰,孙耒来,黄中浩,谌伟,王恺,王思江,王瑞,董晓楠,赵永亮,闵泰烨..a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响[J].液晶与显示,2019,34(7):646-651,6.

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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