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封装寄生参数对并联lGBT芯片瞬态电流分布的影响规律

石浩 吴鹏飞 唐新灵 董建军 韩荣刚 张朋

中国电力2019，Vol.52Issue(8)：16-25,10.
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中国电力2019，Vol.52Issue(8)：16-25,10.DOI:10.11930/j.issn.1004-9649.201805131

封装寄生参数对并联lGBT芯片瞬态电流分布的影响规律

Influence of Package Parasitic Parameters on Transient Current Distribution of Paralleled IGBT Chips

石浩 1吴鹏飞 1唐新灵 1董建军 2韩荣刚 1张朋1

作者信息

  • 1. 全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209
  • 2. 国网山西省电力公司晋城供电公司,山西 晋城 033000
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摘要

关键词

IGBT/并联芯片/寄生电感/寄生电阻/瞬态电流分布

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

石浩,吴鹏飞,唐新灵,董建军,韩荣刚,张朋..封装寄生参数对并联lGBT芯片瞬态电流分布的影响规律[J].中国电力,2019,52(8):16-25,10.

基金项目

国家科技重大专项集成电路专项资助项目(2015ZX02301),国家电网公司科技项目(GEIRI-GB-71-17-001). （2015ZX02301）

中国电力

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-9649

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