空间电子技术2019，Vol.16Issue(2)：79-82,4.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2019.02.014
一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析
An Effect Analysis Induced by Low Dose Radiation Impact PMOS Transistor
高炜祺 1刘虹宏1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
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摘要
关键词
高压PMOS器件/低剂量辐照/PMOS版图/漏源击穿电压分类
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高炜祺,刘虹宏..一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析[J].空间电子技术,2019,16(2):79-82,4.
