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半导体极性界面电子结构的理论研究

张东 娄文凯 常凯

物理学报2019,Vol.68Issue(16):216-224,9.
物理学报2019,Vol.68Issue(16):216-224,9.DOI:10.7498/aps.68.20191239

半导体极性界面电子结构的理论研究

Theoretical progress of polarized interfaces in semiconductors

张东 1娄文凯 1常凯1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 超晶格国家重点实验室, 北京 100083
  • 折叠

摘要

关键词

自旋轨道耦合/极化/界面与异质结/半导体

引用本文复制引用

张东,娄文凯,常凯..半导体极性界面电子结构的理论研究[J].物理学报,2019,68(16):216-224,9.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2017YFA0303400)和国家自然科学基金(批准号:11574303)资助的课题. (批准号:2017YFA0303400)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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