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硅/锗基场效应晶体管沟道中载流子散射机制研究进展

赵毅李骏康郑泽杰

物理学报2019，Vol.68Issue(16)：225-231,7.

物理学报2019，Vol.68Issue(16)：225-231,7.DOI:10.7498/aps.68.20191146

Progress of the study on carrier scattering mechanisms of silicon/germanium field effect transistors

赵毅 ¹李骏康 ¹郑泽杰²

作者信息

载流子散射/应变技术/新沟道材料/新结构器件

赵毅,李骏康,郑泽杰..硅/锗基场效应晶体管沟道中载流子散射机制研究进展[J].物理学报,2019,68(16):225-231,7.

浙江省自然科学基金重点项目(批准号:Z19F040002)和浙江省重点研发计划(批准号:2019C01158)资助的课题. （批准号:Z19F040002）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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