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自旋和电荷分别掺杂的新一类稀磁半导体研究进展

邓正 赵国强 靳常青

物理学报2019，Vol.68Issue(16)：252-263,12.
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物理学报2019，Vol.68Issue(16)：252-263,12.DOI:10.7498/aps.68.20191114

自旋和电荷分别掺杂的新一类稀磁半导体研究进展

Recent progress of a new type diluted magnetic semiconductors with independent charge and spin doping

邓正 1赵国强 2靳常青1

作者信息

  • 1. 中国科学院物理研究所, 北京 100190
  • 2. 中国科学院大学物理学院, 北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

新型稀磁半导体/自旋电荷分别掺杂/高居里温度/单晶异质结

引用本文复制引用

邓正,赵国强,靳常青..自旋和电荷分别掺杂的新一类稀磁半导体研究进展[J].物理学报,2019,68(16):252-263,12.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2017YFB0405703,2018YFA03057001)和国家自然科学基金(批准号:11534016)资助的课题. （批准号:2017YFB0405703,2018YFA03057001）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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