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点缺陷调控:宽禁带II族氧化物半导体的机遇与挑战

谢修华李炳辉张振中刘雷刘可为单崇新申德振

物理学报2019，Vol.68Issue(16)：273-287,15.

物理学报2019，Vol.68Issue(16)：273-287,15.DOI:10.7498/aps.68.20191043

Point defects: key issues for II-oxides wide-bandgap semiconductors development

谢修华 ¹李炳辉 ¹张振中 ¹刘雷 ¹刘可为 ¹单崇新 ²申德振¹

作者信息

宽禁带/点缺陷/掺杂/离化能

谢修华,李炳辉,张振中,刘雷,刘可为,单崇新,申德振..点缺陷调控:宽禁带II族氧化物半导体的机遇与挑战[J].物理学报,2019,68(16):273-287,15.

国家重大科研仪器设备研制专项(批准号:11727902)和吉林省优秀青年人才基金项目(批准号:20190103042JH)资助的课题. （批准号:11727902）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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