|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应

新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应

王硕 常永伟 陈静 王本艳 何伟伟 葛浩

物理学报2019，Vol.68Issue(16)：316-324,9.
✕
物理学报2019，Vol.68Issue(16)：316-324,9.DOI:10.7498/aps.68.20190405

新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应

Total ionizing dose effects on innovative silicon-on-insulator static random access memory cell

王硕 1常永伟 2陈静 1王本艳 1何伟伟 1葛浩1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
  • 2. 中国科学院大学, 材料与光电研究中心, 北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

静态随机存储器单元/总剂量辐射效应/绝缘体上硅/体接触

引用本文复制引用

王硕,常永伟,陈静,王本艳,何伟伟,葛浩..新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应[J].物理学报,2019,68(16):316-324,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61574153)资助的课题. （批准号:61574153）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文