物理学报2019，Vol.68Issue(16)：340-358,19.DOI:10.7498/aps.68.20191262
氧化物基忆阻型神经突触器件
Oxide-based memristive neuromorphic synaptic devices
刘益春 1林亚 1王中强 1徐海阳1
作者信息
- 1. 东北师范大学, 紫外光发射材料与技术教育部重点实验室, 长春 130024
- 折叠
引用本文复制引用
刘益春,林亚,王中强,徐海阳..氧化物基忆阻型神经突触器件[J].物理学报,2019,68(16):340-358,19.
