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基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻 电路对称动力学行为分析

Lü Yan-Min Min Fu-Hong

物理学报2019,Vol.68Issue(13):43-54,12.
物理学报2019,Vol.68Issue(13):43-54,12.DOI:10.7498/aps.68.20190453

基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻 电路对称动力学行为分析

Dynamic analysis of symmetric behavior in flux-controlled memristor circuit based on field programmable gate array

Lü Yan-Min 1Min Fu-Hong1

作者信息

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摘要

关键词

磁控忆阻系统/对称动力学行为/多稳态特性/现场可编程逻辑门阵列

引用本文复制引用

Lü Yan-Min,Min Fu-Hong..基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻 电路对称动力学行为分析[J].物理学报,2019,68(13):43-54,12.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61871230)资助的课题. (批准号:61871230)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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