物理学报2019,Vol.68Issue(13):43-54,12.DOI:10.7498/aps.68.20190453
基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻 电路对称动力学行为分析
Dynamic analysis of symmetric behavior in flux-controlled memristor circuit based on field programmable gate array
摘要
关键词
磁控忆阻系统/对称动力学行为/多稳态特性/现场可编程逻辑门阵列引用本文复制引用
Lü Yan-Min,Min Fu-Hong..基于现场可编程逻辑门阵列的磁控忆阻 电路对称动力学行为分析[J].物理学报,2019,68(13):43-54,12.基金项目
国家自然科学基金(批准号:61871230)资助的课题. (批准号:61871230)