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CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析

YU Xin XUN Ming-zhu GUO Qi HE Cheng-fa LI Yu-dong WEN Lin ZHANG Xing-yao ZHOU Dong

现代应用物理2019,Vol.10Issue(2):42-46,5.
现代应用物理2019,Vol.10Issue(2):42-46,5.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2019.020602

CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析

Displacement Damage of CCD and CMOS Image Sensor Induced by Proton

YU Xin 1XUN Ming-zhu 1GUO Qi 1HE Cheng-fa 1LI Yu-dong 1WEN Lin 1ZHANG Xing-yao 1ZHOU Dong1

作者信息

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摘要

关键词

位移损伤效应/非电离能量损失/CCD/CMOS

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

YU Xin,XUN Ming-zhu,GUO Qi,HE Cheng-fa,LI Yu-dong,WEN Lin,ZHANG Xing-yao,ZHOU Dong..CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析[J].现代应用物理,2019,10(2):42-46,5.

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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