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ESD作用下晶闸管dV/dt触发导通规律研究

杨洁 王彪 王平平

电波科学学报2019,Vol.34Issue(4):512-517,6.
电波科学学报2019,Vol.34Issue(4):512-517,6.DOI:10.13443/j.cjors.2018112902

ESD作用下晶闸管dV/dt触发导通规律研究

Conducting rules of the thyristors triggered by dV/dt under the ESD conditions

杨洁 1王彪 1王平平1

作者信息

  • 1. 陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应国家级重点实验室,石家庄050003
  • 折叠

摘要

关键词

晶闸管(SCR)/静电放电(ESD)/非正常导通/阳极电压变化率/失效模式

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨洁,王彪,王平平..ESD作用下晶闸管dV/dt触发导通规律研究[J].电波科学学报,2019,34(4):512-517,6.

电波科学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1005-0388

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