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Gd4(Bi,Ge)3化合物的室温磁熵变效应

朱宇涛 马春兰 姚金雷

苏州科技大学学报(自然科学版)2019,Vol.36Issue(3):25-30,6.
苏州科技大学学报(自然科学版)2019,Vol.36Issue(3):25-30,6.DOI:10.12084/j.issn.2096-3289.2019.03.005

Gd4(Bi,Ge)3化合物的室温磁熵变效应

Room temperature magnetocaloric effect of Gd4(Bi,Ge)3 compound

朱宇涛 1马春兰 2姚金雷3

作者信息

  • 1. 苏州科技大学 数理学院,江苏 苏州 215009
  • 2. 江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,江苏苏州 215009
  • 折叠

摘要

关键词

磁卡效应/磁熵变/稀土化合物/标度假设/临界行为

分类

数理科学

引用本文复制引用

朱宇涛,马春兰,姚金雷..Gd4(Bi,Ge)3化合物的室温磁熵变效应[J].苏州科技大学学报(自然科学版),2019,36(3):25-30,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(21771136 ()

51301116) ()

江苏省高等学校自然科学研究重大项目(17KJA140001) (17KJA140001)

苏州科技大学研究生创新工程项目(SKCX18_Y15) (SKCX18_Y15)

苏州科技大学学报(自然科学版)

2096-3289

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